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不同类别存储器的基本原理

存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。

易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAM cell结构由1个MOS和1个电容组成，由电容是否带电荷来区分0和1。不过，由于电容漏电流的原因，DRAM无法长时间保存数据，需要“动态”刷新（刷新周期在亚ms级别）。

当前存储器市场竞争格局

半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主品DRAM，NAND Flash，NOR Flash更是如此，尤其是前两者，市场基本被大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。以DRAM和NAND两种主要存储芯片为例，DRAM市场由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据，而NAND Flash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。其中三星居垄断地位，2017年它的DRAM 占的45.8%及NAND占37%。

光电转换部分

光电转换部分是指扫描仪内部的主板，如图4所示。别看扫描仪的光电转换部分主板就这么一小块，但它却是扫描仪的心脏。它是一块安置有各种电子元件的印刷电路板。它是扫描仪的控制系统，在扫描仪扫描过程中，它主要完成CCD信号的输入处理，以及对步进电机的控制，将读取的图像以任意的解析度进行处理或变换所需的解析度。