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DRAM市场发展史
三星充分利用了存储器行业的强周期特点,依靠的输血,在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候,扩产,通过大规模生产进一步下杀产品价格,从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产,数转胶存档机,世人称之为“反周期定律”。在存储器这个领域,数转胶存档机多少钱,三星一共祭出过三次“反周期定律”,前两次分别发生在80年代中期和90年代初,让三星从零开始,做到了存储器老大的位置。但三星显然觉得玩的还不够大,于是在2008年金融危机前后,第三次举起了“反周期”屠刀。
不同类别存储器的基本原理
存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器分SRAM和DRAM;非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAM cell结构由1个MOS和1个电容组成,由电容是否带电荷来区分0和1。不过,由于电容漏电流的原因,DRAM无法长时间保存数据,需要“动态”刷新(刷新周期在亚ms级别)。
NAND FLASH的结构和特性
通过NAND FLASH的结构原理图,可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的,NAND读取数据的单位是Page,数转胶存档机价格,当需要读取某个Page时,FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压,而对其他所有Page的Word Line施加电压(电压值不能改变Floating Gate中电荷数量),让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通,数转胶存档机多少钱,而我们要读取的Page的基本存储单元的D和S的导通/关断状态则取决于Floating Gate是否有电荷,有电荷时,Bit Line读出‘0’,无电荷Bit Line读出‘1’,实现了Page数据的读出,可见NAND无法实现位读取(即Random Access),程序代码也就无法在NAND上运行。
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